В феврале этого года Xiaomi представила собственный чипсет под названием Surge S1. На его разработку было потрачено более двух лет и в итоге им был оснащён Mi 5C. Свежая информация гласит, что Xiaomi работает над вторым поколением, которое, как ожидается, будет называться Surge S2.
Surge S1 производится тайваньской компанией Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC). Он построен на 28-нанометровом техпроцессе. Спустя несколько месяцев после выпуска Surge S1 китайская компания начала работу над преемником — Surge S2. Ходят слухи, что массовое производство чипов второго поколения начнётся уже в ближайшее время.
Новый чипсет будет построен на 16-нанометровом техпроцессе. Ожидается, что массовое производство начнётся в третьем квартале этого года. Так как Surge S1 был установлен в Xiaomi Mi 5c, можно предположить, что предстоящий Surge S2 расположиться под капотом у Xiaomi Mi 6C и 6S. Оба смартфона, судя по слухам, дебютируют в конце 2017 года.
Surge S2 будет значительно производительней Surge S1
Xiaomi Surge S1 — это 8-ядерный процессор с четырьмя ядрами Cortex A53 (с частотой 2,2 ГГц) и ещё четырьмя ядрами Cortex A53, работающими на частоте 1,4 ГГц. В качестве графики используется Mali-T860 MP4, есть поддержка LTE, оперативной памяти LPDDR3 и постоянной — eMMC 5.0. С точки зрения производительности, процессор чуть уступает Snapdragon 625 (14-нм техпроцесс). Следовательно, существует вероятность того, что Surge S2 может быть таким же мощным, как Snapdragon 625 или 652. Похоже, что компании требуется чип более высокого класса, который потенциально можно было бы использовать и во флагманских устройствах.
